【题目ID:59】.升压斩波电路中，E=180V,R=10Ω,L值和C值极大，T=50us,=20us，采用脉宽调制控制方式。其输出负载电流平均值为（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:58】.目前所用的电力电子器件均由硅半导体制成。（）

  A.正确

  B.错误

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• 2【题目ID:57】.三相半波可控整流电路，带阻感（电感足够大）负载工作，变压器副边相电压有效值U2=200V，触发角a=60°，电阻R=5Q，那么流过任一晶闸管的直流电流有效值为（）

  A.A.7.8

  B.11.7

  C.13.5

  D.16.5

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• 3【题目ID:56】.KP100-5表示的是额定电压100V.额定电流500A的普通型晶闸管。（）

  A.正确

  B.错误

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• 4【题目ID:55】.在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。（）

  A.正确

  B.错误

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• 5【题目ID:54】.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。（）

  A.正确

  B.错误

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• 6【题目ID:60】.【多选题】电力MOSFET管的输出特性可分为（）个三个区。

  A.线性区

  B.非饱和区

  C.饱和区

  D.截止区

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• 7【题目ID:61】.把直流电变成交流电的过程称为（）。

  A.逆变

  B.整流

  C.斩波

  D.变频

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• 8【题目ID:62】.在升压斩波电路中，已知电源电压= 16V，导通比等于1/3，则负载电压 =()。

  A.5.3V

  B.24 V

  C.12V

  D.10.7V

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• 9【题目ID:63】.三相全控桥整流电路，为变压器副边相电压有效值，带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）

  A.正确

  B.错误

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• 10【题目ID:64】.比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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