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【题目ID:28】.降压斩波电路中,已知电源电压为20V,负载电压为10V,管子开通时间为2ms,则斩波周期为( )。

发布时间:2024-10-12

A.1ms

B.2ms

C.3ms

D.4ms

试卷相关题目

  • 1【题目ID:27】.晶闸管门极触发信号刚好可以撤掉的最小阳极电流,称为()。

    A.维持电流

    B.擎住电流C浪涌电流D.额定电流

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  • 2【题目ID:26】.由门极控制导通的晶闸管导通后,门极信号()

    A.失去作用

    B.需维持原值

    C.需降低

    D.需提高能维持通态所需要从断态转入通态即移去触发信号

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  • 3【题目ID:25】.【多选题】采用晶闸管的无源逆变电路能够采用的换流方式有( )。

    A.器件换流

    B.电网换流

    C.负载换流

    D.强迫换流

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  • 4【题目ID:24】.三相桥式全控整流电路的自然换相点是()。

    A.交流相电压的过零点

    B.在相电压与相邻相电压的交点处

    C.比三相不可控整流电路的自然换相点超前30°

    D.比三相不可控整流电路的自然换相点滞后30°

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  • 5【题目ID:23】.关于MOSFET的开关速度,表述正确的是()。

    A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速

    B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长

    C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长

    D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快

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  • 6【题目ID:29】.大电感负载三相全控桥式整流电路,其变压器二次绕组电流有效值I2为()(设整流输出电流平均值为)。

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 7【题目ID:30】.比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。

    A.IGBT

    B.MOSFET

    C.GTR

    D.GTO

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  • 8【题目ID:31】.单相桥式全控整流电阻型负载电路中,控制角的最大移相范围是()。

    A.90°

    B.120°

    C.150°

    D.180°

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  • 9【题目ID:32】.为了保证逆变能正常工作,变流器的逆变角不得小于()。

    A.5°

    B.15°

    C.20°

    D.30°

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  • 10【题目ID:33】.三相可控整流与单相可控整流相比较,输出直流电压的波纹系数( )。

    A.三相的大

    B.单相的大

    C.一样大

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