【题目ID:27】.晶闸管门极触发信号刚好可以撤掉的最小阳极电流，称为（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:26】.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号（）

  A.失去作用

  B.需维持原值

  C.需降低

  D.需提高能维持通态所需要从断态转入通态即移去触发信号

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• 2【题目ID:25】.【多选题】采用晶闸管的无源逆变电路能够采用的换流方式有（ ）。

  A.器件换流

  B.电网换流

  C.负载换流

  D.强迫换流

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• 3【题目ID:24】.三相桥式全控整流电路的自然换相点是（）。

  A.交流相电压的过零点

  B.在相电压与相邻相电压的交点处

  C.比三相不可控整流电路的自然换相点超前30°

  D.比三相不可控整流电路的自然换相点滞后30°

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• 4【题目ID:23】.关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。

  A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速

  B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长

  C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长

  D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快

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• 5【题目ID:22】.电能变换可以将下列（）进行变换。

  A.电流

  B.电压

  C.频率

  D.相位

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• 6【题目ID:28】.降压斩波电路中，已知电源电压为20V，负载电压为10V，管子开通时间为2ms，则斩波周期为（ ）。

  A.1ms

  B.2ms

  C.3ms

  D.4ms

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• 7【题目ID:29】.大电感负载三相全控桥式整流电路，其变压器二次绕组电流有效值I2为（）（设整流输出电流平均值为）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 8【题目ID:30】.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 9【题目ID:31】.单相桥式全控整流电阻型负载电路中，控制角的最大移相范围是（）。

  A.90°

  B.120°

  C.150°

  D.180°

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• 10【题目ID:32】.为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。

  A.5°

  B.15°

  C.20°

  D.30°

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