下列电力半导体器件电路符号中表示IGBT器件的电路符号是（      ）。 

试卷相关题目

• 1 下列半导体器件中属于混合型器件的是（      ）。

  A.GTR

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 2下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（      ）。

  A.PIC

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 3比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（      ）。

  A.GTR

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 4 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（      ）。

  A.GTR

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 5 比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（      ）。

  A.IGBT

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 6下列电力电子器件中属于全控型器件的是（      ）。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电子管

  D.门极可关断晶闸管B.

  开始考试点击查看答案
• 7晶闸管刚由断态转入通态并且去掉门级信号，仍能维持其导通所需的最小阳极电流称为（      ）。

  A.维持电流

  B.擎住电流

  C.浪涌电流

  D.额定电流

  开始考试点击查看答案
• 8 不考虑安全裕量时，若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为（      ）。

  A.157A

  B.100A

  C.80A

  D.246.5A

  开始考试点击查看答案
• 9 晶闸管的伏安特性是指（      ）。

  A.阳极电压与阳极电流的关系

  B.门极电压与阳极电流的电流

  C.阳极电压与门极电流的关系

  D.门极电压与门极电流的关系

  开始考试点击查看答案
• 10晶闸管稳定导通的条件（      ）。

  A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

  B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

  C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

  D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

  开始考试点击查看答案