比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（      ）。

试卷相关题目

• 1 比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（      ）。

  A.IGBT

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 2 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（      ）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 3双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（      ）电极。

  A.一个

  B.两个

  C.三个

  D.四个

  开始考试点击查看答案
• 4 双向晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的（      ）来表示的。

  A.有效值

  B.最大值

  C.平均值

  D.瞬时值

  开始考试点击查看答案
• 5普通的单相半控桥可控整流装置中一共用了（      ）晶闸管。

  A.一只

  B.二只

  C.三只

  D.四只

  开始考试点击查看答案
• 6比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（      ）。

  A.GTR

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 7下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（      ）。

  A.PIC

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 8 下列半导体器件中属于混合型器件的是（      ）。

  A.GTR

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 9 下列电力半导体器件电路符号中表示IGBT器件的电路符号是（      ）。 

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 10下列电力电子器件中属于全控型器件的是（      ）。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电子管

  D.门极可关断晶闸管B.

  开始考试点击查看答案