试卷相关题目
- 1在电力电子器件的应用中,附加各种缓冲电路的目的包括(.)。
A.降低 du/dt 和 di/dt
B.减少器件的开关损耗
C.避免器件损坏
D.减少浪涌电压
开始考试点击查看答案 - 2晶闸管的开通过程中,下列说法正确的是( X
A.延迟时间为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。
B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。
D.降低阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短
开始考试点击查看答案 - 3
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的()。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试点击查看答案 - 4
下列选项属于MOSFET的特点有()。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
开始考试点击查看答案 - 5在电力电子电路中,GTR工作在开关状态,即工作区和区。()
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案 - 6对低电压大电流的负载供电,应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 7三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°〜180°。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 8三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150°。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 9单相半波可控整流电路属单脉波整流电路。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 10整流电路按电路组成器件可分为单相和多相两类。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案