晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ X

试卷相关题目

• 1

  MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

  A.不饱和区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.有源区

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• 2

  下列选项属于MOSFET的特点有（）。

  A.开关速度快

  B.驱动频率髙

  C.电压高

  D.驱动功率小

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• 3在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）

  A.放大区

  B.截止区

  C.饱和区

  D.开关区

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• 4下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.门极可关断晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 5由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。

  A.零偏置

  B.正向偏置

  C.反向偏置

  D.转向偏置

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• 6在电力电子器件的应用中，附加各种缓冲电路的目的包括（.）。

  A.降低 du/dt 和 di/dt

  B.减少器件的开关损耗

  C.避免器件损坏

  D.减少浪涌电压

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• 7为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应釆用Y/Y接法（）

  A.正确

  B.错误

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• 8对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（）

  A.正确

  B.错误

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• 9三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°〜180°。（）

  A.正确

  B.错误

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• 10三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150°。（）

  A.正确

  B.错误

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