电力晶体管的开关频率（.）电力场效应管。

试卷相关题目

• 1

  要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压;

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

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• 2电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

  A.直流

  B.低频

  C.中频

  D.高频

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• 3

  逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。

  A.晶闸管

  B.单结晶体管

  C.电力晶体管

  D.绝缘栅双极型晶体管

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• 4下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。

  A.IPM

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 5比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 6如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）。

  A.700V

  B.750V

  C.800V

  D.850V

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• 7下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。

  A.普通晶闸管

  B.可关断晶闸管

  C.电力晶体管

  D.功率场效应晶体管

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• 8二极管两端加上正向电压时（）。

  A.一定导通

  B.超过死区电压才导通

  C.超过0.3V才导通

  D.超过0.7V才导通

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• 9下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 10下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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