逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。

试卷相关题目

• 1下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。

  A.IPM

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 2比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 3

  三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为（）。

  A.0.45U2

  B.0.9U2

  C.1.17U2

  D.2.34U2

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• 4在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。

  A.0°~90°

  B.0°~180°

  C.90°~180°

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• 5

  三相半波可控整流电路带电阻性负载时，如果三个晶闸管采用向一相触发脉冲，α的移相范围（）。

  A.0°-60°

  B.0°-90°

  C.0°-120°

  D.0°-150°

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• 6电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

  A.直流

  B.低频

  C.中频

  D.高频

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• 7

  要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压;

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

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• 8电力晶体管的开关频率（.）电力场效应管。

  A.稍高于

  B.低于

  C.远高于

  D.等于

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• 9如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）。

  A.700V

  B.750V

  C.800V

  D.850V

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• 10下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。

  A.普通晶闸管

  B.可关断晶闸管

  C.电力晶体管

  D.功率场效应晶体管

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