试卷相关题目
- 1基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件与硅器件租出具有()。
A.耐压高
B.低得多的通态电阻
C.酣受高温
D.热稳定性更好
开始考试点击查看答案 - 2目前在电力电子器件制造方面,很多人认为依靠硅器件继续完善和提在电力电子餐与系统性能的潜力已十分有限。因此,将越来越多的注意力投向()等宽禁带光导体材料
A.磯化硅
B.氮化镓
C.金刚石
D.锗
开始考试点击查看答案 - 3与普通晶闸管相比,GTO能通过门极关断,是因为():
A.设计器件时使得a2较大,这样晶体管V2控制灵敏:
B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:
C.采用多元集成结构:
D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。
开始考试点击查看答案 - 4下面()属于晶闸管的派生器件。
A.GTR
B.双向晶闸管
C.逆导晶闽管
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管导通的条件包括()
A.承受正向电压:
B.承受反向电压:
C.阳极有触发电流;
D.门极有触发电流.
开始考试点击查看答案 - 6电压驱动型器件有()的特点。
A.工作频率低
B.驱动功率小
C.驱动电路简单
D.工作频事高
开始考试点击查看答案 - 7下列器件中,()属于单极型器件。
A.晶闸管
B.肖特基二极管
C.电力MOSFET
D.SIT
开始考试点击查看答案 - 8下列器件中,()属于复合型器件
A.晶闸管
B.IGBT
C.电力MOSFET
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 9为了能获得大的通流能力,电力工极管大都采用横向导电结构。()
A.正确
B.错误
C.空
D.空
开始考试点击查看答案 - 10与信息电乐电路审的一极管相比,电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,因此具有承受高电压的能力。()
A.正确
B.错误
C.空
D.空
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