试卷相关题目
- 1关于MOSFET的开关速度,表述正确的是()。
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快
开始考试点击查看答案 - 2工频正弦半波电流的波形系数为()
A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案 - 3晶闸管额定电流描述正确的是:()
A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案 - 4下列器件中,没有电导调制效应的器件为()
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案 - 5维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于()
A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案 - 6晶闸管的控制电流与转折电压的关系,下列说法错误的是()。
A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小
开始考试点击查看答案 - 7使晶闸管关断的方法有()。
A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案 - 8由于结电容的存在,电力二极管需要在下面()状态进行转换。
A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案 - 9下列属于晶闸管的派生器件的选项是()。
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案 - 10在电力电子电路中,GTR工作在开关状态,即工作区和区。()
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
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