电力MOSFET是用（）来控制漏极电流的。

试卷相关题目

• 1釆用（）是电力电子装置中最有效.应用最广的一种过电流保护措施。

  A.直流断路器

  B.交流断路器

  C.快速熔断器

  D.过电流继电器

  开始考试点击查看答案
• 2晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。

  A.降压

  B.分流

  C.过电流保护

  D.过电压保护

  开始考试点击查看答案
• 3GTR在应用中必须注意下面（）问题。

  A.一次击穿

  B.二次击穿

  C.临界饱和

  D.反向截至

  开始考试点击查看答案
• 4某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V,该晶闸管的额定电压应为（）。

  A.750V

  B.800V

  C.700V

  D.850V

  开始考试点击查看答案
• 5晶阐管的3个引出电极分别是（）。

  A.阳极.阴极.栅极

  B.发射极.基极.集电极

  C.栅极.漏极.源极

  D.阳极.阴极.门极

  开始考试点击查看答案
• 6下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。

  A.额定电压

  B.额定电流

  C.维持电流

  D.静态参数

  开始考试点击查看答案
• 7为了减少门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。

  A.直流

  B.正弦波

  C.正脉冲

  D.负-脉冲

  开始考试点击查看答案
• 8要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

  开始考试点击查看答案
• 9IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

  A.GTR 驱动的 MOSFET

  B.MOSFET 驱动的 GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET 驱动的 GTO

  开始考试点击查看答案
• 10晶闸管的临界导通条件为（）

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案