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IGBT的特点是开关速度较高,开关损耗小,通态压降低.驱动功率小。()

发布时间:2020-12-16

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B.错误

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试卷相关题目

  • 1过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。()

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  • 2晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压, 其值低于转折电压。()

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  • 3对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又 可使导通着的晶闸管关断。()

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  • 4额定电流100A的双向晶闸管与额定电流50A的两只反并联的普通晶闸管相比,两者的电流容量是相 同的。()

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  • 5若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。()

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  • 6GTR的通态电流大,开关速度髙,驱动功率大,通态压降低。()

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  • 7GTO开关容量大,开关速度髙,适用于大功率高频电路。()

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  • 8肖特基二极管的反向恢复时间短(10~40ns),正向恢复过程不会出现明显的电压过冲,适用于200V以下的低压场合。()

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  • 9某电力二极管的正向平均电流为1A,则该二极管允许流过的最大电流有效值为()A。

    A.3.14

    B.1.57

    C.1

    D.2

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  • 10普通晶闸管内部有()个PN结。

    A.1

    B.2

    C.3

    D.4

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