正离子揸击阴极表面产生的平均电子数用（）表示。

试卷相关题目

• 1解释低气压.小间隙中的气体放电过程可用（）。

  A.汤逊理论

  B.流注理论

  C.巴申定律

  D.小桥理论

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• 2沿脏污表面的闪络不仅敢决于否能产=生局部<弧，还要畜流过脏^表面的拖療电流是否足以维择一定程度的（），以保证局部电弧能继续燃烧和扩展。

  A.碰撞游离

  B.热游离

  C.光游离

  D.滑闪放电

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• 3滑闪放电条件包括（ ）。

  A.电场交变

  B.电场极不均匀

  C.电场具有强垂直分量

  D.电场滑闪物体表面持续电离

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• 4环境湿度増加，不能明显提高击穿电压的间隙有（ ）。

  A.均匀电场间隙

  B.球间隙

  C.极不均匀电场间隙

  D.稍不均匀电场间隙

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• 5SF气体绝缘强度高的主要原因是（ ）。

  A.平均自由行程短

  B.电离电位高

  C.无腐蚀性

  D.电负性强

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• 6解释气压较髙.距离较长的间隙中的气体放电过會司（）。

  A.流注理论

  B.汤逊理论

  C.巴申定律

  D.小桥理论

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• 7流注理论未考虑（）的现象。

  A.碰撞游离

  B.表面游离

  C.光游离

  D.电荷畸变电场

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• 8在大气条件下，流注理论认为放电发展的维持是靠（）。

  A.碰撞游离的电子

  B.光游离的光子

  C.热游离的离子

  D.表面游离的电子

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• 9支持绝缘子加装均压环，是为了（），提高闪络电压。

  A.改善电极附近电场分布

  B.增大电极面积

  C.减小支持绝缘子两端电压

  D.减小绝缘子两端的平均电场强度

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• 10保护设备的伏秒特性—t与被保护设备的伏秒特性—t合理的配合是（）。

  A.一t始终髙于—t.

  B.一t始终低于—t

  C.一t先高于—t,后低于—t

  D.—t先低于—t,后高于—t

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