发射结和集电结均正向偏置，是晶体管工作在（）区的条件。

试卷相关题目

• 1发射结正向偏置，集电结反向偏置是晶体管工作在（）区的外部条件。

  A.放大

  B.饱和

  C.截止

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• 2题1-34中的晶体管是（ ）。

  A.NPN型硅管

  B.PNP型硅管

  C.PNP型锗管

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• 3测得某放大电路中晶体管的三个管脚1、2、3的电位分别是0、-0.2V和-5V， 则管脚1、2、3对应的三个电极是（ ）。

  A.EBC

  B.ECB

  C.CBE

  D.BEC

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• 4晶体管的穿透电流大，说明其（ ）。

  A.工作电流大

  B.击穿电压高

  C.寿命长

  D.热稳定性差 1-33测得某放大电路中晶体管的三个管脚1、2、3的电位分别为2V、6V和2.7V，则 管脚1、2、3对应的三个极是（ ）。A.EBC B. ECBC. CBED.BEC

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• 5锗材料晶体管的最高耐热温度是（ ）。

  A.70V

  B.100T

  C.200^

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• 6共发射极组态下，晶体管的输出特性常用一簇曲线表示，其中每一条曲线对应一 个特定的（）。

  B.iiCE

  C./B

  D.iE

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• 7某晶体管的发射极电流为1mA，基极电流为2(VA，则集电极电流为（ ）mA。

  A.0.98

  B.1.02

  C.0.8

  D.1.2

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• 8在基本共射放大电路中，基极电阻&的作用是：（ ）。

  A.放大电流

  B.调节偏流

  C.把放大了的电流转换成电压

  D.防止输人信号交流短路

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• 9基本共射放大电路的特点是（）。

  A.电压放大倍数大于1

  B.输出电压与输人电压相位相反

  C.输人电阻较低

  D.输出电压与输入电压相位相同

  E.电流放大倍数均大于1 f)温度稳定性好

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• 10共集电极放大电路的特点为（ ）。

  A.输人电阻髙，且与负载有关

  B.输出电阻小，且与信号源内阻有关

  C.电压放大倍数小于1且近似等于1

  D.输出电压与输人电压相位相同

  E.电流放大倍数大于1

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