和动态MOS存储器相比,双极姻半导体存储器的性能是 。
发布时间:2021-12-22
A.集成度高,存取周期快,位平均功耗小
B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大
C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
试卷相关题目
- 1下述说法中 是正确的。
A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的
C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的
开始考试点击查看答案 - 2在磁盘和磁带两种磁表而存储器中,存取时间与存储单元的物理位置有关,按存储方式
A.二者都是串行存取
B.磁盘是部分串行存取,磁带足串行存取
C.磁带是部分串行存取,磁盘是串行存取
开始考试点击查看答案 - 3磁盘的记录方式一般采用 。
A.调频制
B.i周相制
C.不归零制
开始考试点击查看答案 - 4在磁表面存储器的记录方式屮, 。
A.不归零制和归零制的i己录密度是一样的
B.不归零制的记录方式中不耑要同步信号,故记录密度比归零制高
C.不归零制记录方式由于磁头线阐中始终有电流,因此抗干扰性能好
开始考试点击查看答案 - 5磁盘存储器的等待时间通常是指 。
A.磁盘旋转一周所需的时间
B.磁盘旋转半周所需的时间
C.磁盘旋转2/3周所需的时间
开始考试点击查看答案 - 6活动头磁盘存储器的寻道时间通常是指 ^
A.最大道时间
B.最大寻道时间和最小寻道时间的平均值
C.最大寻道时间和最小寻道时间之和
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