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晶闸管在导通状态下,器件导通损耗等于其两瑞电压乘以(  )。

发布时间:2020-11-13

A.阳极电流

B.门极电流

C.阳极电流与门极电流之和

D.阳极电流与门极电流之差

试卷相关题目

  • 1功率器件一旦导通,无论门极控制信号为零或为负时,功率器件都将工作在导通状态的是(   )。

    A.GTO

    B.SCR

    C.GTR

    D.IGBT

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  • 2当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时( )。

    A.没有反向漏电流

    B.只有极小的反向漏电流

    C.反向漏电源很大

    D.由门极电流决定

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  • 3电力二极管存在动态特性的原因是(   )。

    A.寄生电感

    B.寄生电阻

    C.反向漏电流

    D.结电容

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  • 4反向恢复时间一般在5微秒以上的电力二极管是(  )。

    A.肖特基二极管

    B.整流二极管

    C.快恢复二极管

    D.续流二极管

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  • 5随着电力电子器件工作频率的提高,下列哪种损耗明显提高(  )。

    A.导通损耗

    B.关断损耗

    C.开关损耗

    D.部增加

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  • 6下列不属于全控型器件典型代表的是(  )。

    A.电力晶体管

    B.晶闸管

    C.电力场效应晶体管

    D.绝缘栅双极晶体管

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  • 7GTO的(  )结构,使得其比普通晶闸管开通过程更快。

    A.垂直导电结构

    B.晶体管模型

    C.达林顿结构

    D.多元集成

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  • 8(  )的关断时间一般指储存时间和下降时间之和,不包括尾部时间。

    A.Power MOSFET

    B.SCR

    C.GTO

    D.IGBT

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  • 9电力晶体管(GTR)是一种(  )结构的半导体器件。

    A.四层三端.

    B.五层三端

    C.三层二端

    D.三层三端

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  • 10GTR工作时存在SOA,也称为(  )。

    A.线性放大区

    B.安全工作区

    C.饱和区

    D.截止区

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