IGBT的正向偏置安全工作区不能超过（ ）。

试卷相关题目

• 1GTR工作时存在SOA，下列表述中与SOA含义不一致的是（  ）。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

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• 2与处理信息的电子器件相比，电力电子器件的主要特点（ )。

  A.处理的主要是功率

  B.需要驱动电路

  C.有较大的功耗

  D.通常工作在开关状态

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• 3下列元器件中，（  ）属于半控型。

  A.普通晶闸管

  B.逆导晶闸管

  C.双向晶闸管

  D.可关断晶闸管

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• 4下列元器件中，（ ）属于全控型。

  A.大功率晶体管

  B.绝缘栅场效应晶体管

  C.可关断晶闸管

  D.绝缘栅极双极型晶体管

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• 5普通晶闸管外部有三个电极，分别是（  ）。

  A.阳极

  B.阴极

  C.门极

  D.正极，负极

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• 6关于电力MOSFET 的工作特性，下列叙述正确的是（  )。

  A.当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，漏源极之间无电流流过

  B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS，漏极和源极就能导电

  C.开关速度快，工作频率高

  D.与IGBT比较，电力MOSFET电流容量较小，耐压较低

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• 7关于智能功率模块，描述正确的是（ ）。

  A.简称 IPM

  B.也称智能 IGBT

  C.用于 MOSFET 的集成

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• 8下列器件哪些器件属于复合型器件（ ）。

  A.GTR

  B.IGBT

  C.MCT

  D.晶闸管

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• 9电力二极管特性，下列说法描述正确的是：（ ）。

  A.静态特性主要是指其伏安特性

  B.电压—电流特性不随温度变化

  C.静态特性和动态特性是不一样的特性

  D.动态特性反映通态和断态之间转换过程的开关特性

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• 10关于电力MOSFET的开关特性，下列描述正确的是(  )。

  A.MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系 A.降低栅极驱动电路的内阻,可以加快开关速度

  B.不存在少子储有效应，因而其开通过程非常迅速

  C.工作频率是主要电力电子器件中最高的

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