【题目ID:64】.比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:63】.三相全控桥整流电路，为变压器副边相电压有效值，带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）

  A.正确

  B.错误

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• 2【题目ID:62】.在升压斩波电路中，已知电源电压= 16V，导通比等于1/3，则负载电压 =()。

  A.5.3V

  B.24 V

  C.12V

  D.10.7V

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• 3【题目ID:61】.把直流电变成交流电的过程称为（）。

  A.逆变

  B.整流

  C.斩波

  D.变频

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• 4【题目ID:60】.【多选题】电力MOSFET管的输出特性可分为（）个三个区。

  A.线性区

  B.非饱和区

  C.饱和区

  D.截止区

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• 5【题目ID:59】.升压斩波电路中，E=180V,R=10Ω,L值和C值极大，T=50us,=20us，采用脉宽调制控制方式。其输出负载电流平均值为（）。

  A.45

  B.30

  C.7.2

  D.10.8

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• 6【题目ID:65】.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。

  A.关断状态

  B.导通状态

  C.饱和状态

  D.不定

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• 7【题目ID:66】.单相桥式全控整流电路，带纯电阻负载，变压器副边相电压有效值=200V，选择晶闸管时，晶闸管额定电压的合适值为（）伏。

  A.141.4

  B.282.8

  C.800

  D.2000

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• 8【题目ID:67】.在整流电路中，由于实际变压器绕组漏感的存在，因此换相过程不能瞬间完成。（）

  A.正确

  B.错误

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• 9【题目ID:68】.三相全控桥整流装置中一共用了（）晶闸管.

  A.三只

  B.六只

  C.九只

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• 10【题目ID:69】.智能功率模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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