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【题目ID:80】.降压斩波电路中,输入电压E=80V,输出电压平均值为40V,开关周期T=80ms,则一个周期内开关的导通时间()。

发布时间:2024-10-12

A.40ms

B.50ms

C.20ms

D.10ms

试卷相关题目

  • 1【题目ID:79】.比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是。()。

    A.IGBT

    B.MOSFET

    C.GTR

    D.GTO

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  • 2【题目ID:78】.在半控桥整流带大电感负载不加载二极管电路中,电路出故障时会出现失流控现象。()

    A.正确

    B.错误

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  • 3【题目ID:77】.三相半波可控整流电路带电阻负载,当触发角α=0°时,输出的负载电压平均值为()。

    A.0.45U2

    B.0.9U2

    C.1.17U2

    D.2.34U2

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  • 4【题目ID:76】.【多选题】以下器件属于全控型器件的是( )。

    A.GTO

    B.BJT

    C.MOSFET

    D.IGBT

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  • 5【题目ID:75】.换相重叠角与其他参数关系为()

    A.越大,则γ越大

    B.越大,γ越大

    C.当α≤90°时,α越小,γ越大

    D.当α≤180°时,α越小,γ越大

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  • 6【题目ID:81】.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角Θ是()。

    A.π-α

    B.π+α

    C.π-δ-α

    D.π+δ-α

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  • 7【题目ID:82】.三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()度。

    A.0°~90°

    B.30*~120°

    C.60-~150°

    D.90°~150°

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  • 8【题目ID:83】.()是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断。

    A.负载振荡式换流

    B.强迫换流

    C.可关断晶闸管换流

    D.大功率晶体管换流

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  • 9【题目ID:84】.下面叙述正确的是()。

    A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数

    B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流

    C.所有的整流电路都可以实现有源逆变

    D.以上叙述没有正确地

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  • 10【题目ID:85】.下面关于电力场效应晶体管说法正确的是()【多选题】

    A.导通电阻大,耐流水平低

    B.单极性器件,开关频率kHz以上;

    C.电压型驱动器件,驱动功率大;

    D.通态电阻型正温度系数,对器件并联均流有利;

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