GTR的安全工作区不能超过（          ）。

试卷相关题目

• 1 关于GTO特性的描述正确的是：（          ）。

  A.PNPN四层半导体结构

  B.比普通晶闸管开通过程更快

  C.导通过程与普通晶闸管完全不同

  D.多元集成结构

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• 2下列说法正确的是：（          ）。

  A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间

  B.维持电流IH为擎住电流的IL（2-4）倍

  C.没有门极电流，如果电压上升率过大，也会使晶闸管误导通

  D.晶闸管一旦导通，通过门极可以控制其关断

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• 3 晶闸管的名称，又可以是（          ）。

  A.晶体闸流管

  B.可控硅整流器

  C.可控硅

  D.电力晶体管

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• 4 PN结的结电容按其产生机制和作用的差别，可以分为（          ）。

  A.微分电容

  B.势垒电容

  C.扩散电容

  D.滤波电容

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• 5三相桥式全控整流电路的特点包括（          ）。

  A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通

  B.同一相的两个晶闸管不能同时导通

  C.整流输出电压Ud一周期脉动6次

  D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式

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• 6除了常用的电力电子器件，其他新型电力电子器件主要包括（          ）。

  A.MOS控制晶闸管 MCT

  B.静电感应晶体管SIT

  C.静电感应晶闸管 SITH

  D.集成门极换流晶闸管IGCT

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• 7以下器件中属于电流驱动器件的是（          ）。  

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.IGBT

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• 8下列器件属于双极型器件的是：（          ）。

  A.肖特基二极管

  B.晶闸管

  C.GTO

  D.GTR

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• 9 关于肖特基二极管的特性，说法正确的是（          ）。

  A.反向恢复时间比快恢复二极管短

  B.开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高

  C.多用于200V以下的低压场合，而且必须更严格地限制其工作温度

  D.反向稳态损耗可以忽略

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• 10以下电力电子器件在使用时开关频率相对较低的几个器件是（          ）。

  A.GTO

  B.Power MOSFET

  C.SCR

  D.IGBT

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