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下列选项中属于间接推挽直流变流电路的优点有()。

发布时间:2023-01-30

A.变压器双向励磁

B.变压器一次侧电流 回路中只有一个开关,通态损耗较小

C.驱动简单

D.电路简单

试卷相关题目

  • 1下列选项中属于间接半桥直派变流电路的缺点有( )。

    A.有直通问题,可靠性低的

    B.需要复杂的隔离驱动电路

    C.开关较多

    D.成本高

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  • 2斩波电路的控制方式有( )。

    A.脉冲宽度调制

    B.频率调制

    C.混合型

    D.载波调制

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  • 3换流的方式有()。

    A.器件换流

    B.电网换流

    C.负载换流

    D.强迫换流

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  • 4整流电路根据开关管的类型可分为( )。

    A.不可控

    B.半控

    C.全控

    D.单向

    E.双向

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  • 5

    强迫换流从耦合方式上来看,分为( ) 和()。

    A.直接耦合式

    B.电感耦合式

    C.间接耦合式

    D.电容耦合式

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  • 6下列电力电子器件电,存在电导调制效应的是( )。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 7具有四层半导体结构的器件有()。

    A.晶闸管

    B.GTO

    C.Power MOSFET

    D.GTR

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  • 8GTO是全控型器件的原因是()。

    A.GTO采用多元集成结构

    B.门极和阴极之间的距离短

    C.导通时饱和程度较晶闸管低

    D.导通时饱和程度较晶闸管高

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  • 9POWER MOSFET的特点是( )。

    A.电压驱动型

    B.驱动功率小

    C.只适用于小功率场合

    D.单极型

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  • 10关于电力电子器件的描述,下 列说法中不正确的有( )。

    A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

    B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

    C.MOSFET工作在饱和区和截止区

    D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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