关于MOSFET的开关速度,表述正确的是()。
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快
试卷相关题目
- 1工频正弦半波电流的波形系数为()
A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案 - 2晶闸管额定电流描述正确的是:()
A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案 - 3下列器件中,没有电导调制效应的器件为()
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案 - 4维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于()
A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案 - 5电容滤波的三相不可控整流电路,交流电源的频率为50Hz,负载=若要使输出电流连续,电容值为()可以满足要求。
A.89nF
B.l000pF
C.2uF
D.5uF
开始考试点击查看答案 - 6电容滤波的三相不可控整流电路,电阻性负载,若变压器二次侧电压的峰值为输出电压的平均值可能为()。
A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案 - 7
整流变压器二次侧为星形连接的三相桥式不可控整流电路,C.三相分别共阴极组的二极管VD1,VD3,VD5,还分别接共阳极组的二极管VD4,VD6,VD2,下列()不属于此情形下二极管的换相顺序。
A..共阴A相共阳极C相-共阴极B相共阳B相决阴C相共阳A相-共阴A相
B..共阴A相-共阳极B相-共阴极C相-共阳B相-共阴C相-共阳B相共阴A相
C.共阴A相决阳极C相决阴极B相-共阳A相决阴C相决阴B相-共阴A相
D..共阴A相决阳极C相-共阴极C相-共阳A相-共阴B相-共阴B相-共阴A相
开始考试点击查看答案 - 8有源逆变失败的原因包括()
A.触发脉冲丢失
B.触发脉冲延时
C.交流电源缺相
D.β>35°
开始考试点击查看答案 - 9电压型逆变器,直流侧是电压源或并联有大电容,相当于电压源。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 10电流型逆变器,直流侧是电流源或串联有大电感,相当于电流源。()
A.正确
B.错误
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