下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。

试卷相关题目

• 1电力MOSFET是用（）来控制漏极电流的。

  A.栅极电压

  B.漏极电压

  C.源极电压

  D.基极电压

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• 2釆用（）是电力电子装置中最有效.应用最广的一种过电流保护措施。

  A.直流断路器

  B.交流断路器

  C.快速熔断器

  D.过电流继电器

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• 3晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。

  A.降压

  B.分流

  C.过电流保护

  D.过电压保护

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• 4GTR在应用中必须注意下面（）问题。

  A.一次击穿

  B.二次击穿

  C.临界饱和

  D.反向截至

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• 5某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V,该晶闸管的额定电压应为（）。

  A.750V

  B.800V

  C.700V

  D.850V

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• 6

  为了减少门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。

  A.直流

  B.正弦波

  C.正脉冲

  D.负脉冲

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• 7要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

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• 8IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

  A.GTR 驱动的 MOSFET

  B.MOSFET 驱动的 GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET 驱动的 GTO

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• 9晶闸管的临界导通条件为（）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 10电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)

  A.通态压降降低

  B.通态损耗下降

  C.关断时间延长

  D.开关损耗下降

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