下列新型电力电子器件中，（）正在与IGBT竞争，试国取化GTO在兆瓦级以上场合的地位。

试卷相关题目

• 1下列新型电力电子器件中，（）工作频率与电力MOSFET机当,功率容量比电力MOSFET大，因而适用于高频大功串场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SItH

  D.IGCT

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• 2很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术尹的重要地位。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO.

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• 320世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功事（10kW以下）场合以（）为主的周面，

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 4智能功事模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的越装期成动

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 5使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

  A.20

  B.40

  C.50

  D.100

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• 620世纪80年代中后期，出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为（）

  A.功率模块

  B.功率集成电路

  C.智能NGBTS

  D.高压集成电路

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• 7在10MVA以上或者数千伏以上的应用发款如果不需要自关断能力，（）仍然是目前的首选器件。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 8同处理信息的电子器件相比的电力电子器件一般具有如下特征:（）

  A.处理电功事的能力比较大

  B.工作在开关状态:C由信电子电路来控D.昝要安装散热器

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• 9下列器件中，（）是全控型器件。

  A.GTO

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 10下列器件中，（）是电压驱动型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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