双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。（）

试卷相关题目

• 1晶闸管是一种四层三端器件。（）

  A.正确

  B.错误

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• 2双向晶闸管额定电流的定义与普通晶闸管不同，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。（）

  A.正确

  B.错误

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• 3在电力电子器件的应用中，附加各种缓冲电路的目的包括（）。

  A.降低 du/dt 和 di/dt

  B.减少器件的开关损耗

  C.避免器件损坏

  D.减少浪涌电压

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• 4晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ ）

  A.延迟时间为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。

  B.延迟时间随门极电流的增大而减小。

  C.上升时间为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。

  D.降低阳极电压，延迟时间和上升时间都可显著缩短

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• 5MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

  A.鲤区.

  B.放大区

  C.饱和区

  D.有源区

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• 6给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（）

  A.正确

  B.错误

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• 7触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（）

  A.正确

  B.错误

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• 8

  KP100-5表示的是额定电压100V.额定电流500A的普通型晶闸管。（）

  
  

  
  

  A.正确

  B.错误

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• 9

  KP100-5表示的是额定电压100V.额定电流500A的普通型晶闸管。（）

  
  

  
  

  A.正确

  B.错误

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• 10表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。（）

  A.正确

  B.错误

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