下列器件中，（）是双极型器件。

试卷相关题目

• 1下列器件中，（）是电流驱动型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.GTR

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 2下列器件中，（）是电压驱动型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 3下列器件中，（）是全控型器件。

  A.GTO

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 4同处理信息的电子器件相比的电力电子器件一般具有如下特征:（）

  A.处理电功事的能力比较大

  B.工作在开关状态:C由信电子电路来控D.昝要安装散热器

  开始考试点击查看答案
• 5在10MVA以上或者数千伏以上的应用发款如果不需要自关断能力，（）仍然是目前的首选器件。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 6下列新型器件中，（）是复合型器件.

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

  开始考试点击查看答案
• 7晶闸管除了可以通过门极电流触发，还有以下几种误导通的情况:（）。

  A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应:

  B.阳极电压上升率过高;

  C.结温较高:

  D.光直接照射硅片.

  开始考试点击查看答案
• 8晶闸管导通的条件包括（）

  A.承受正向电压:

  B.承受反向电压:

  C.阳极有触发电流;

  D.门极有触发电流.

  开始考试点击查看答案
• 9下面（）属于晶闸管的派生器件。

  A.GTR

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闽管

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 10与普通晶闸管相比，GTO能通过门极关断，是因为（）:

  A.设计器件时使得a2较大，这样晶体管V2控制灵敏:

  B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:

  C.采用多元集成结构:

  D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。

  开始考试点击查看答案