试卷相关题目
- 1测量介质损耗因数,通常不能发现的设备绝缘缺陷是()。
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
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测量绝缘电阻及直流泄露电流通常不能发现的设备绝缘缺陷是()
A.贯穿性缺陷
B.整体受潮
C.贯穿性受潮或脏污
D.整体老化
开始考试点击查看答案 - 3测量绝缘电阻和测量泄露电流最主要的区别是()。
A.试验原理不同
B.加压时间不同
C.电压大小不同
D.试验设备不同
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以下关于周部放电测量的说法错误的是()。
A.局部放电的测量能测出绝缘内部是否存在气泡、空隙、杂质等缺陷。
B.绝缘中的局部放电是引起电介质老化的重要原因之一。
C.视在放电量是表征局部放电的唯一参数。
D.放电重复率与外加电压的大小有关,外加电压增大时,放电次数也随之增多。
开始考试点击查看答案 - 5对大容量的设备进行直流耐压试验后,应先采用()方式,再直接接地。
A.电容放电
B.电感放电
C.电阻放电
D.阻容放电
开始考试点击查看答案 - 6变色硅胶颜色为()时,表明该硅胶吸潮已达到饱和状态。
A.蓝
B.白
C.黄
D.红
开始考试点击查看答案 - 7当整个绝缘全面老化时,有效的拭验判断方法是()。
A.测泄露电流
B.测直流电阻
C.测介质损耗因数
D.测绝缘电阻
开始考试点击查看答案 - 8以下关于电介质损耗角正切值tgδ说法错误的是()。
A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的,则用测tgδ反映不灵敏。
B.测量tgδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷(全面老化),小容量试品中的严重局部缺陷。
C.tg6随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮,含有气泡及老化程度。
D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备,实现样品的对地绝缘。
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试品绝缘电阻的测量值获取需加压()s。
A.15
B.30
C.45
D.60
开始考试点击查看答案 - 10用兆欧表遥测电气设备绝缘时,如果摇表转速与要求转速低得过多时,其测量结果与实际值比较
A.可能偏高
B.可能偏低
C.大小一样
D.不确定
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