- 讲师:刘萍萍 / 谢楠
- 课时:160h
- 价格 4580 元
特色双名师解密新课程高频考点,送国家电网教材讲义,助力一次通关
配套通关班送国网在线题库一套
单晶样品的制备很可能是晶体结构分析最重要的阶段,因为没有高质量的衍射数据,许多分析将证明是有问题的,反之,处理好衍射数据,用在结晶上的努力和时间就有了价值,就没有白费。涉及晶体的生长有许多文献,还包括专门的刊物Journal of Crystal Growth (Amsterdam:Elsevie)。
结构分析用的晶体生长有许多专著。
结晶过程涉及气体、液体或溶液相中的离子、原子或分子有序的进入固态中有规则的位置。结晶过程的初始阶段是形成晶核,然后离子、原子或分子在晶核的晶面上逐渐沉积(可被考虑为流体与晶体间的动力学平衡)。当向前速度占支配地位时,晶体就生长。影响平衡的因素包括晶体表面的化学性质,被结晶物质的浓度,晶体内和晶体周围介质的性质。晶体的形成是发生在出现临界大小的晶核以后,此时生成自由能由正值,零变为负值。成核速率随过饱和度显著增加,为了限制晶核数量,过饱和度应尽可能的低,过饱和应慢慢到达,一旦到达这种低程度的过饱和以后,就要小心控制,使少数几颗晶核在准平衡状态下,慢慢生长。在成核过程中,外部物体,诸如灰尘颗粒,往往使得在成核过程中热力学上发生变化,所以这些颗粒要通过离心分离或过滤的方法事先去除。加晶种方法也常是控制晶核数量一种方法。
低分子量的有机、无机化合物晶体生长的方法大概有以下几种:
1)单溶剂蒸发
2)两元溶剂混和物蒸发
3)成批结晶
4)液-液扩散
5)座滴汽相扩散
6)改变温度
7)凝胶结晶法
8)昇华
9)固化法
责编:郝悦皓
上一篇:军队文职考试药学复习指导:烷化剂
课程专业名称 |
讲师 |
课时 |
查看课程 |
---|
课程专业名称 |
讲师 |
课时 |
查看课程 |
---|
点击加载更多评论>>