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试卷介绍
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- 71使用或储存电力MOSFET时,要注意栅源极间电压限制在()以内。
A.20
B.40
C.50
D.100
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智能功率模块IPM往往专指()及其辅助器件与其保护和驱动电路的集成安装
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO
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20世纪90年代中期以来,逐渐形成了小功率(10kW以下)场合以()为主的局面,
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO
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很多专家都认为,在未来十年内().都将保持其在电力电子技术中的重要地位。
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO.
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下列新型电力电子器件中,()工作频率与电力MOSFET相当,功率容量比电力MOSFET大,因而适用于高频大功串场合。
A.MCT
B.SIT
C.SItH
D.IGCT
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下列新型电力电子器件中,()正在与IGBT竞争,试取代化IGBT在兆瓦级以上场合的地位。
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试练习点击查看答案 - 7720世纪80年代中后期,出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为()
A.功率模块
B.功率集成电路
C.智能NGBTS
D.高压集成电路
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某电力二极管在电路中要流过实际电流的有效值为314A2那么倍裕量,选择额定电流为()的二极管。
A.200A
B.314A
C.400A
D.986A
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某电力二极管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量,在电路允许长期流过的实际电流的有效值1为()。
A.100A
B.157A
C.200A
D.400A
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某电路中需要承受的最高反向峰值为200V,考能2倍裕量,选择额定电压U为()的二极管。
A.200V
B.282V
C.400V
D.564V
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