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- 21(I)在温度为T的金属中,自由电子的平均动能比大很多倍,对这一现象的解释是:()
A.测不准原理
B.相对论B.波粒二象性 D.泡利不相容原理
开始考试练习点击查看答案 - 22对于金属中的自由电子气,下面看法正确的是()
A.自由电子处于一个三维的无限深方势阱中,在势阱内不受力的作用
B.自由电子气中每个电子的平均平动动能等于3化772,T为金属的温度
C.自由电子的德布罗意波长比离子间距大得多
D.在金属的温度趋于r=OK时,自由电子的速率也趋于零
开始考试练习点击查看答案 - 23n型半导体中,由杂质原子所形成杂质能级在能带结构中应处于()
A.价带中
B.导带中
C.禁带中,但接近价带顶
D.禁带中,但接近导带顶
开始考试练习点击查看答案 - 24下列说法正确的是()
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子(电子或 空穴)参与导电
B.杂质半导体中,电子与空穴两种载流子的整体对半导体的导电性有相同的贡献
C.n型半导体中载流子电子对导电性能的贡献大,是由于载流子电子数比载流子空穴数多
D.一个载流子电子比一个载流子空穴对半导体的导电性能的贡献大,所以同样载流子浓度的n 型半导体比P型半导体导电性能好.
开始考试练习点击查看答案 - 25关于a袞变,下列说法不正确的是()
A.a衰变是*He核从衰变核内逃逸即势垒穿透的过程
B.同一放射源放射出的a粒子能量一定相同
C.a衰变往往有Y衰变伴随
D.a放射源的a衰变的半衰期可以有很大不同
开始考试练习点击查看答案 - 26对于3衰变的理解,下列说法正确的是()
A.B袞变是指核放出电子的过程
B.R衰变是核内电子或正电子从核内逃逸即势垒穿透的过程
C.R衰变是核内中子与质子相互变换的结果
D.B衰变过程不会伴随光子的发射
开始考试练习点击查看答案 - 27下列说法中,哪一个是正确的?()
A.物体加速度越大,则速度越大
B.斜向上抛的物体,在最高点处的速度最小,加速度最大
C.物体作曲线运动时,有可能在某时刻的法向加速度为零
D.一质点在某时刻的瞬时速度是2 m/s,说明它在此后1 s内一定要经过2 m的路程•
开始考试练习点击查看答案 - 28有一质点在平面上运动,已知质点位置矢量的表示式为r = at1i+bt2j,其中 7 为常量,则该质 点作()
A.匀速直线运动
B.变速直线运动
C.抛物线运动
D.一般曲线运动
开始考试练习点击查看答案 - 29如图所示,假设物体沿着竖直面上圆弧形轨道下滑,轨道是光滑的,在 从A至C的下滑过程中,下面说法正确的是()
A.它的速率均匀增加
B.它的合外力大小不变
C.轨道支持力的大小不断増加
D.它的合外力大小变化,方向永远指向圆心
E.它的加速度大小不变,方向永远指向圆心
开始考试练习点击查看答案 - 30如图所示,一圆盘绕过盘心且与盘面垂直的光滑固定轴0以角速度c转动.若圆盘按图示方向 转动,现将两个大小相等方向相反但不在同一条直线的力F沿盘而同时作用 到圆盘上,则圆盘的角速度()
A.必然增大
B.必然减小
C.不会改变
D.如何变化不能确定
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