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高电压技术练习4

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  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥5.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:0
  • 作答时间:0分钟

试卷介绍

高电压技术练习4

试卷预览

  • 21中性点经消弧线圈接地能把单相电弧接地过电压限制在( )。

    A.1.5p.u.

    B.2p.u.

    C.2.5p.u.

    D.3p.u.

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  • 22对于均匀电场多层电介质模型,在直流电压下,各层电介质的电介质强度与其电导率成( )关系。

    A.正比

    B.不变

    C.反比

    D.无法确定

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  • 23以下四种材料,相同距离下工频沿面闪络电压最高的是( )。

    A.纯空气间隙

    B.石蜡

    C.陶瓷

    D.玻璃

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  • 24下列关于气体绝缘击穿特性描述中错误的是()。

    A.在均匀电场中气体的绝缘性能十分优良,在定的气压范围内,气体间隙放电特性符合巴申定律( )。

    B.气体缶穿电压随着气压的增加会一定程度的出现饱和效应

    C.稍不均匀电场中的击穿具有极性效应

    D.在气体中,电极电晕起始电压主要受电极距离的影响,电极表面状态的影响次之

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  • 25下列参数中,不能用来衡量局部放电强度的是()

    A.视在放电量

    B.放电能量

    C.放电重复率

    D.放电极性

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  • 26高压半波整流回路中,下列可以减小电压纹波幅值的措施是()。

    A.减小电源频率

    B.减小滤波电容

    C.增大负载

    D.增大电源电压

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  • 27下列交流电压峰值测量方法中错误的是()。

    A.通过测量电容电流

    B.通过测量整流后电压值

    C.通过静电电压表直接测量

    D.通过球间隙直接测量

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  • 28波阻抗具有电阻的蛩纲,它的表达式可以用单位长度的电感和电容分别为^和^表示为( )。

    A.

    B.

    C.

    D.1/

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  • 29流注理论认为二次电子崩的主要来源是( )电离,很好地解释了高气压长间隙下电时间和阴极材料的影响等问题。

    A.碰揸电离

    B.光电离

    C.热电离

    D.表面电离

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  • 30IEC规定标准的雷电波形视在波头时间为( ),视在波尾时间为( )。

    A.1.2μs,50μs

    B.1.0μs,30μs

    C.1.2μs,60μs

    D.1.0μs.50μs

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