使晶闸管关断的方法有（ ）。

试卷相关题目

• 1下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有（ ）。

  A.单相全控桥整流电路

  B.单相全波可控整流电路

  C.三相全控桥整流电路

  D.三相半波可控整流电路

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• 2按照控制端和公共端之间信号的波形，可以将电力电子器件分为（ ）。

  A.电流触发型

  B.电压触发型

  C.电平控制型

  D.脉冲触发型

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• 3GBT是（）和（）的复合管。

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.SCR

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• 4下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

  A.SCR

  B.GTO

  C.MOSFET

  D.IGBT

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• 5下列相控整流电路中心存在变压器直流磁化问题的是（ ）。

  A.单相半波可控整流电路

  B.单相桥式全控整流电路

  C.三相半波可控整流电路

  D.三相桥式全控整流电路

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• 6下列关于三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流的说法正确的是（ ）。

  A.该电流波形为正、负宽度各为120°的方波

  B.该电流中波形含有各奇次谐波

  C.该电流波形为正、负宽度各为180°的方波

  D.该电流中波形含有6k±1次谐波

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• 7下列对晶闸管特性的叙述中，正确的是（）。

  A.晶闸管属于电流驱动双极型器件

  B.晶闸管触发导通后，门极就失去了控制作用

  C.晶闸管具有单向导龟性要

  D.晶闸管的擎住电流大于维持电流

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• 8下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 9具有四层半导体结构的器件有（）。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.Power MOSFET

  D.GTR

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• 10GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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