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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

发布时间:2021-01-11

A.硒鼓检测器

B.IP成像转换器

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器

试卷相关题目

  • 1CR与DR系统应用比较,相同点是

    A.成像方式

    B.操作方式

    C.床旁摄影

    D.可应用于常规摄影

    E.与常规X线设备匹配

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  • 2屏/片系统成像与数字平板X线摄影的共同之处是

    A.图像存储

    B.成像能源

    C.转换介质

    D.成像方式

    E.传输方式

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  • 3关于平板探测器的叙述,错误的是

    A.有直接转换型和间接转换型

    B.其极限分辨率比屏/片系统低

    C.其MTF比屏/片系统低

    D.其DQE比屏/片系统高

    E.DQE比CR系统高

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  • 4关于CR的工作原理,正确的是

    A.IP由基层、荧光体层和保护层构成

    B.IP由基层、晶体层构成

    C.IP用于检测图像数据

    D.IP用于存储图像数据

    E.IP用于传输图像数据

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  • 5多丝正比电离室探测器是

    A.直接探测器

    B.间接探测器

    C.模拟探测器

    D.平板探测器

    E.动态探测器

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  • 6从X线到影像按“潜影→可见光→数字影像”这—程序转换的是

    A.Ⅱ+TV摄像机

    B.成像板

    C.闪烁体+CCD摄像机阵列

    D.直接转换平板探测器

    E.间接转换平板探测器

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  • 7FPD能够成为平板形状,主要是探测器的单元阵列采用的是

    A.薄膜晶体管技术

    B.光敏照相机技术

    C.光电倍增管技术

    D.光激励发光技术

    E.非晶硒技术

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  • 8间接DR中,位于FPD顶层的是

    A.非晶硒

    B.碘化铯

    C.钨酸钙

    D.非晶硅

    E.CCD

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  • 9直接平板探测器的线性度范围是

    A.0.048611111111

    B.1:100

    C.1:1000

    D.1:10000

    E.1:100000

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  • 10直接FPD可以由什么直接获得像素位置信息

    A.地址编码电路

    B.信号放大电路

    C.滤波电路

    D.A/D转换电路

    E.显示电路

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