下列不属于全控型器件典型代表的是(  )。

试卷相关题目

• 1晶闸管在导通状态下，器件导通损耗等于其两瑞电压乘以(  )。

  A.阳极电流

  B.门极电流

  C.阳极电流与门极电流之和

  D.阳极电流与门极电流之差

  开始考试点击查看答案
• 2功率器件一旦导通，无论门极控制信号为零或为负时，功率器件都将工作在导通状态的是（   ）。

  A.GTO

  B.SCR

  C.GTR

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 3当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时( )。

  A.没有反向漏电流

  B.只有极小的反向漏电流

  C.反向漏电源很大

  D.由门极电流决定

  开始考试点击查看答案
• 4电力二极管存在动态特性的原因是（   ）。

  A.寄生电感

  B.寄生电阻

  C.反向漏电流

  D.结电容

  开始考试点击查看答案
• 5反向恢复时间一般在5微秒以上的电力二极管是(  )。

  A.肖特基二极管

  B.整流二极管

  C.快恢复二极管

  D.续流二极管

  开始考试点击查看答案
• 6GTO的(  )结构，使得其比普通晶闸管开通过程更快。

  A.垂直导电结构

  B.晶体管模型

  C.达林顿结构

  D.多元集成

  开始考试点击查看答案
• 7(  )的关断时间一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。

  A.Power MOSFET

  B.SCR

  C.GTO

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 8电力晶体管(GTR)是一种(  )结构的半导体器件。

  A.四层三端.

  B.五层三端

  C.三层二端

  D.三层三端

  开始考试点击查看答案
• 9GTR工作时存在SOA，也称为(  )。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

  开始考试点击查看答案
• 10Power MOSFET工作时，在截止区和(  )之间来回转换。

  A.放大区

  B.饱和区

  C.非饱和区

  D.安全工作区

  开始考试点击查看答案