单相桥式全控整流电路，有(   )组触发电压。

试卷相关题目

• 1单相桥式半控整流电路，有(   )组触发电压。

  A.l

  B.2

  C.3

  D.4

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• 2单向可控硅由导通变为截止要满足(   )条件。

  A.阳极和阴极间加反向电压

  B.升高阳极电压

  C.降低阴极电压

  D.断开控制电路

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• 3晶闸管正向阻断时，阳极与阴极问只有很小的（  ）。

  A.正向漏电流

  B.反向漏电流

  C.正向导通电流

  D.反向击穿电流

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• 4用万用表测试好的单向晶闸管时，G、K极间正反向电阻应该(   )。

  A.都不大

  B.都很大

  C.都很小

  D.一小一大

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• 5普通晶闸管门极与阴极问的反电电阻比正向电阻(   )。

  A.大得多

  B.基本相等

  C.明显大一些

  D.小一些

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• 6三相半波可控整流电路的最大移相范围是（  ）。

  A.90°

  B.120°

  C.150°

  D.180°

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• 7三相桥式半控整流电路中最大导通角是（  ）。

  A.120°

  B.180°

  C.210°

  D.360°

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• 8下列(   )触发方式不属于可控硅触发电路。

  A.大功率二极管触发

  B.磁放大器触发

  C.单结晶体管触发

  D.正弦波同步触发

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• 9下列( B )触发方式不属于可控硅触发电路。

  A.大功率三极管触发

  B.大功率二极管触发

  C.脉冲触发

  D.集成电路触发

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• 10电流强度为l安培的电流在l小时内通过某导体横截面的电量是(   )。

  A.l库仑

  B.60库仑

  C.3600库仑

  D.1200库仑

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