试卷相关题目
- 1 power MOSFET适用于( )容量的设备。
A.高速大
B.低速大
C.高速小
D.低速小
开始考试点击查看答案 - 2晶闸管由导通到关断的条件( )。
A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
开始考试点击查看答案 - 3对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有,IL( )IH。
A.大于
B.等于
C.小于
D.无关
开始考试点击查看答案 - 4选用晶闸管时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的( )倍。
A.1
B.2
C.2-3
D.3-4
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管属于( ) 。
A.不可控器件
B.全控器件
C.半控器件
D.以上说法都不对
开始考试点击查看答案 - 6( ) 不具有电导调制效应。
A.GTO
B.GTR
C.PowerMOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 7IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是( )。
A.栅极
B.集电极
C.阳极
D.发射极
开始考试点击查看答案 - 8 IGBT是一个复合型的器件,它是( )。
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTR
开始考试点击查看答案 - 9属于单极型电力电子器件的有( ) 。
A.PowerDiode
B.SCR
C.PowerMOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 10以下属于电流驱动的是有( )。
A.电力二极管
B.晶闸管
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案