可控硅整流装置是靠改变（   ）。来改变输出电压的

试卷相关题目

• 1晶闸管导通的条件是：可控硅（   ）。

  A.主回路加反向电压，同时控制极加适当的正向电压

  B.主回路加反向电压，同时控制极加适当的反向电压

  C.主回路加正向电压，同时控制极加适当的正向电压

  D.主回路加正向电压，同时控制极加适当的反向电压

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• 2在下列整流电路中，（   ）。整流电路输出的直流脉动最小

  A.单相半波

  B.单相全波

  C.单相桥式

  D.三相桥式

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• 3晶体三极管的输入特性呈（   ）。

  A.线性

  B.非线性

  C.开始是线性

  D.与输入电压有关

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• 4硅稳压管工作于（   ）。时，它在电路中起稳定电压的作用

  A.正向电压区

  B.死区电压区

  C.反向电压区

  D.反向击穿区

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• 5三相全波整流电路在交流一相电压消失时，直流输出电流（   ）。

  A.降至零

  B.减小

  C.不变

  D.增大

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• 6半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体叫做（   ）。

  A.N型半导体

  B.P型半导体

  C.杂质型半导体

  D.本征型半导体

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• 7二极管的最大正向电流是保证二极管不损坏的最大允许的半波电流的（   ）。值

  A.最大

  B.最小

  C.有效

  D.平均

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• 8用万用表欧姆档测量晶体管参数时，应选用（   ）。档

  A.R×1Ω

  B.R×10Ω

  C.R×100Ω

  D.R×1kΩ

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• 9用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（   ）。

  A.两个PN结都被击穿

  B.两个PN结都被烧断

  C.发射结被击穿

  D.发射极被烧断

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• 10用万用表R×100Ω档测量二极管的正、反向电阻，（   ）。时可判断二极管是好的

  A.正向电阻几欧，反向电阻几兆欧

  B.正向电阻几十欧，反向电阻几千欧

  C.正向电阻几十欧，反向电阻几十千欧

  D.正向电阻几十欧，反向电阻几百千欧

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