试卷相关题目
- 1关于平板探测器的叙述,错误的是( )
A.有直接转换型和间接转换型
B.其极限分辨率比屏/片系统低
C.其MTF比屏/片系统低
D.其DQE比屏/片系统高
E.DQE比CR系统高
开始考试点击查看答案 - 2关于CR的工作原理,正确的是( )
A.IP由基层、荧光体层和保护层构成
B.IP由基层、晶体层构成
C.IP用于检测图像数据
D.IP用于存储图像数据
E.IP用于传输图像数据
开始考试点击查看答案 - 3Konica CR系统照射量1mR时对应的S值为200,2mR对应的S值是( )
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
开始考试点击查看答案 - 4多丝正比电离室探测器是( )
A.直接探测器
B.间接探测器
C.模拟探测器
D.平板探测器
E.动态探测器
开始考试点击查看答案 - 5DR相比于CR( )
A.成像时间短
B.X线利用效率高
C.图像质量好
D.系统成本高
E.以上都是
开始考试点击查看答案 - 6CR与DR系统应用比较,相同点是( )
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁摄影
D.可应用于常规摄影
E.与常规X线设备匹配
开始考试点击查看答案 - 7应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是( )
A.硒鼓检测器
B.IP成像转换器
C.直接转换平板探测器
D.间接转换平板探测器
E.多丝正比室检测器
开始考试点击查看答案 - 8从X线到影像按“潜影→可见光→数字影像”这—程序转换的是( )
A.Ⅱ+TV摄像机
B.成像板
C.闪烁体+CCD摄像机阵列
D.直接转换平板探测器
E.间接转换平板探测器
开始考试点击查看答案 - 9FPD能够成为平板形状,主要是探测器的单元阵列采用的是( )
A.薄膜晶体管技术
B.光敏照相机技术
C.光电倍增管技术
D.光激励发光技术
E.非晶硒技术
开始考试点击查看答案 - 10间接DR中,位于FPD顶层的是( )
A.非晶硒
B.碘化铯
C.钨酸钙
D.非晶硅
E.CCD
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