【题目ID:4】.使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

试卷相关题目

• 1【题目ID:3】.下列器件中，（）的出现是电力电子技术诞生的标志。

  A.晶体管

  B.晶闸管

  C.水银整流器

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 2【题目ID:2】.【多选题】电力电子学是由（）学科交叉而形成的。

  A.电力学

  B.电子学

  C.控制理论

  D.电机学

  开始考试点击查看答案
• 3【题目ID:1】.三相全控桥式整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（）倍。

  A.0.45

  B.09

  C.1.17

  D.2.34

  开始考试点击查看答案
• 4【题目ID:5】.晶闸管属于（）。【多选题】

  A.半控型器件；

  B.双极性；

  C.电流驱动；

  D.全控器件；

  开始考试点击查看答案
• 5【题目ID:6】.下面器件中定性分析，导通管压降最高的是（）

  A.Power-Diode

  B.Power MOSFET

  C.IGBT;

  D.GTR

  开始考试点击查看答案
• 6【题目ID:7】.下列电路属于电网换流的是（）。

  A.三相半波可控整流电路

  B.单相交流调压电路

  C.单相桥式半控整流电路

  D.单相桥式全控整流电路

  开始考试点击查看答案
• 7【题目ID:8】.晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 8【题目ID:9】.交变频电路中哪组整流器电路工作是由输出电压决定。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案