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【题目ID:80】.下列器件中,兆瓦级以上场合可采用的全控器件是()。

发布时间:2024-10-12

A.SCR

B.GTO

C.电力MOSFET

D.IGBT

试卷相关题目

  • 1【题目ID:79】.下列新型器件中,()是复合型器件.

    A.MCT

    B.SIT

    C.SITH

    D.IGCT

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  • 2【题目ID:78】.双向晶闸管与普通晶闸管一样,其内部由四层半导体PNPN构成。()

    A.正确

    B.错误

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  • 3【题目ID:77】.并联谐振逆变器必须是负载略呈容性电路。( )

    A.正确

    B.错误

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  • 4【题目ID:76】.对于三相桥式全控整流电路交流侧的电流波形,谐波次数越高,谐波幅值越大。()

    A.正确

    B.错误

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  • 5【题目ID:75】.过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。()

    A.正确

    B.错误

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  • 6【题目ID:81】.晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。()

    A.正确

    B.错误

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  • 7【题目ID:82】.【多选题】关于三相电压型桥式逆变电路的说法,正确的是( )。

    A.其直流侧可以看作一个直流电压源

    B.同一个桥臂上下两管可以同时导通

    C.每个开关器件导通180°

    D.其负载相电压中不含3次谐波

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  • 8【题目ID:83】.【多选题】绝缘栅双极晶体管综合了()和总()两种器件的优点。

    A.GTO

    B.GTR

    C.MOSFET

    D.IGBT

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  • 9【题目ID:84】.在四大类变流电路中,重流电路和逆变电路是更为基本、更为重要的两大类。()

    A.正确

    B.错误

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  • 10【题目ID:85】.三相桥式全控整流电路共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120%,同一相的上下两个桥臂,脉冲相差180°。()

    A.正确

    B.错误

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