【题目ID:15】.若要改变单相全桥电压型逆变电路的输出负载电压，可采用下列方法（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:14】.下列新型全控器件中，（）是单极型器件。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 2【题目ID:13】.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规划为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）

  A.转折电压

  B.反向击穿电压

  C.阈值电压

  D.额定电压

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• 3【题目ID:12】.三相桥式全控整流电路，=100V，带电阻电感负载，R=5Ω,L值极大，当α=60°时，流过晶闸管的电流有效值和变压器二次电流的有效值分别为（）。

  A.10A,20A

  B.13.51A,13.5A

  C.23.4A,23.4A

  D.13.51A,19A

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• 4【题目ID:11】.单相全波整流电路带阻感负载工作时，L足够大，id波形为正弦波的一部分。

  A.正确

  B.错误

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• 5【题目ID:10】.采用晶闸管的交变频电路，此种电路也可以称为周波变流器。（）

  A.正确

  B.错误

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• 6【题目ID:16】.在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态那么另一组就工作在逆变状态。（）

  A.正确

  B.错误

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• 7【题目ID:17】.下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 8【题目ID:18】.交流调压是调节负载电压的（）

  A.最大值

  B.平均值

  C.瞬时值

  D.有效值

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• 9【题目ID:19】.以下是不可控器件的（）。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.GTR

  D.GTO

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• 10【题目ID:20】.【多选题】GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.阳极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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