【题目ID:41】.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:40】.【多选题】电力MOSFET管是（）类型的器件。

  A.流控型

  B.压控型

  C.双极型

  D.单极型

  开始考试点击查看答案
• 2【题目ID:39】.【多选题】带隔离的全波整流电路的缺点是（）。

  A.对器件耐压要求较高

  B.变压器二次侧绕组有中心接头，结构较复杂

  C.损耗大

  D.元件数较多

  开始考试点击查看答案
• 3【题目ID:38】.晶闸管可控整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（）负载

  A.电阻性

  B.电感性

  C.反电动势

  D.电容性

  开始考试点击查看答案
• 4【题目ID:37】.晶闸管的非正常触发方式有（ ）。

  A.阳极电压升高造成雪崩效应

  B.门极电流触发

  C.光触发

  D.结温过高而触发

  开始考试点击查看答案
• 5【题目ID:36】.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸营的额定电流是用电流有效值来表示的。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 6【题目ID:42】.逻辑控制无环流可逆电路的动态性能较差。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 7【题目ID:43】.升降压斩波电路中，采用脉宽调制控制方式.其输出负载电流平均值为（）。

  A.6

  B.6.67

  C.15

  D.25

  开始考试点击查看答案
• 8【题目ID:44】.电流型并联谐振逆变电路负载两端电压波形是很好的正弦波。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 9【题目ID:45】.【多选题】下列相控整流电路中存在变压器直流磁化问题的是（ ）。

  A.单相半波可控整流电路

  B.单相桥式全控整流电路

  C.三相半波可控整流电路

  D.三相桥式全控整流电路

  开始考试点击查看答案
• 10【题目ID:46】.IGBT的特点是开关速度较高，开关损耗小，通态压降低.驱动功率小。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案