【题目ID:80】.降压斩波电路中，输入电压E=80V，输出电压平均值为40V，开关周期T=80ms，则一个周期内开关的导通时间（）。

试卷相关题目

• 1【题目ID:79】.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是。（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

  开始考试点击查看答案
• 2【题目ID:78】.在半控桥整流带大电感负载不加载二极管电路中，电路出故障时会出现失流控现象。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 3【题目ID:77】.三相半波可控整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为（）。

  A.0.45U2

  B.0.9U2

  C.1.17U2

  D.2.34U2

  开始考试点击查看答案
• 4【题目ID:76】.【多选题】以下器件属于全控型器件的是（ ）。

  A.GTO

  B.BJT

  C.MOSFET

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案
• 5【题目ID:75】.换相重叠角与其他参数关系为（）

  A.越大，则γ越大

  B.越大，γ越大

  C.当α≤90°时，α越小，γ越大

  D.当α≤180°时，α越小，γ越大

  开始考试点击查看答案
• 6【题目ID:81】.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角Θ是（）。

  A.π-α

  B.π+α

  C.π-δ-α

  D.π+δ-α

  开始考试点击查看答案
• 7【题目ID:82】.三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）度。

  A.0°~90°

  B.30*~120°

  C.60-~150°

  D.90°~150°

  开始考试点击查看答案
• 8【题目ID:83】.（）是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断。

  A.负载振荡式换流

  B.强迫换流

  C.可关断晶闸管换流

  D.大功率晶体管换流

  开始考试点击查看答案
• 9【题目ID:84】.下面叙述正确的是（）。

  A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数

  B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合，都可以实现负载换流

  C.所有的整流电路都可以实现有源逆变

  D.以上叙述没有正确地

  开始考试点击查看答案
• 10【题目ID:85】.下面关于电力场效应晶体管说法正确的是（）【多选题】

  A.导通电阻大，耐流水平低

  B.单极性器件，开关频率kHz以上；

  C.电压型驱动器件，驱动功率大；

  D.通态电阻型正温度系数，对器件并联均流有利；

  开始考试点击查看答案