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 关于GTO特性的描述正确的是:(          )。

发布时间:2024-09-28

A.PNPN四层半导体结构

B.比普通晶闸管开通过程更快

C.导通过程与普通晶闸管完全不同

D.多元集成结构

试卷相关题目

  • 1下列说法正确的是:(          )。

    A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间

    B.维持电流IH为擎住电流的IL(2-4)倍

    C.没有门极电流,如果电压上升率过大,也会使晶闸管误导通

    D.晶闸管一旦导通,通过门极可以控制其关断

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  • 2 晶闸管的名称,又可以是(          )。

    A.晶体闸流管

    B.可控硅整流器

    C.可控硅

    D.电力晶体管

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  • 3 PN结的结电容按其产生机制和作用的差别,可以分为(          )。

    A.微分电容

    B.势垒电容

    C.扩散电容

    D.滤波电容

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  • 4三相桥式全控整流电路的特点包括(          )。

    A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通

    B.同一相的两个晶闸管不能同时导通

    C.整流输出电压Ud一周期脉动6次

    D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式

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  • 5 单相桥式全控整流电路带电阻负载工作时(          )。

    A.晶闸管承受的最大正向电压为

    B.晶闸管承受的最大反向电压分别为和

    C.晶闸管α角的移相范围为180°

    D.晶闸管α角的移相范围为 90°

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  • 6 GTR的安全工作区不能超过(          )。

    A.最高电压Ucem

    B.集电极最大电流 Icm

    C.最大耗散功率 Pcm

    D.一次击穿临界线

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  • 7除了常用的电力电子器件,其他新型电力电子器件主要包括(          )。

    A.MOS控制晶闸管 MCT

    B.静电感应晶体管SIT

    C.静电感应晶闸管 SITH

    D.集成门极换流晶闸管IGCT

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  • 8以下器件中属于电流驱动器件的是(          )。  

    A.GTO

    B.GTR

    C.MOSFET

    D.IGBT

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  • 9下列器件属于双极型器件的是:(          )。

    A.肖特基二极管

    B.晶闸管

    C.GTO

    D.GTR

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  • 10 关于肖特基二极管的特性,说法正确的是(          )。

    A.反向恢复时间比快恢复二极管短

    B.开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高

    C.多用于200V以下的低压场合,而且必须更严格地限制其工作温度

    D.反向稳态损耗可以忽略

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