关于GTO特性的描述正确的是:( )。
A.PNPN四层半导体结构
B.比普通晶闸管开通过程更快
C.导通过程与普通晶闸管完全不同
D.多元集成结构
试卷相关题目
- 1下列说法正确的是:( )。
A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间
B.维持电流IH为擎住电流的IL(2-4)倍
C.没有门极电流,如果电压上升率过大,也会使晶闸管误导通
D.晶闸管一旦导通,通过门极可以控制其关断
开始考试点击查看答案 - 2 晶闸管的名称,又可以是( )。
A.晶体闸流管
B.可控硅整流器
C.可控硅
D.电力晶体管
开始考试点击查看答案 - 3 PN结的结电容按其产生机制和作用的差别,可以分为( )。
A.微分电容
B.势垒电容
C.扩散电容
D.滤波电容
开始考试点击查看答案 - 4三相桥式全控整流电路的特点包括( )。
A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通
B.同一相的两个晶闸管不能同时导通
C.整流输出电压Ud一周期脉动6次
D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式
开始考试点击查看答案 - 5 单相桥式全控整流电路带电阻负载工作时( )。
A.晶闸管承受的最大正向电压为
B.晶闸管承受的最大反向电压分别为和
C.晶闸管α角的移相范围为180°
D.晶闸管α角的移相范围为 90°
开始考试点击查看答案 - 6 GTR的安全工作区不能超过( )。
A.最高电压Ucem
B.集电极最大电流 Icm
C.最大耗散功率 Pcm
D.一次击穿临界线
开始考试点击查看答案 - 7除了常用的电力电子器件,其他新型电力电子器件主要包括( )。
A.MOS控制晶闸管 MCT
B.静电感应晶体管SIT
C.静电感应晶闸管 SITH
D.集成门极换流晶闸管IGCT
开始考试点击查看答案 - 8以下器件中属于电流驱动器件的是( )。
A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 9下列器件属于双极型器件的是:( )。
A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.GTO
D.GTR
开始考试点击查看答案 - 10 关于肖特基二极管的特性,说法正确的是( )。
A.反向恢复时间比快恢复二极管短
B.开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高
C.多用于200V以下的低压场合,而且必须更严格地限制其工作温度
D.反向稳态损耗可以忽略
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