电力电子器件的开关损耗包括（）。

试卷相关题目

• 1以下器件属于全控型器件的是（）。

  A.晶闸管

  B.门极可关断晶闸管

  C.电力双极型晶体管

  D.电力场效应晶体管

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• 2要使原来导通的晶闸管关断，须将流过晶闸管的电流降到（）以下。

  A.额定电流;

  B.维持电流;

  C.擎住电流;

  D.触发电流。

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• 3以下器件中，（）可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 4某电路中需要承受的最高反向峰值电压为220V,考虑2倍裕量，选择额定电压U为（）V的二极管。

  A.220

  B.440

  C.500

  D.1000

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• 5某电力二极管额定电流为300A,那么考虑1.5倍裕量，在电路中允许长期流过的实际电流的有效值I为（）。

  A.200A

  B.300A

  C.314A

  D.450A

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• 6按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为（）。

  A.半控型器件

  B.不可控器件

  C.自关断器件

  D.场控器件

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• 7按照控制端和公共端之间信号的波形，可以将电力电子器件分为（）。

  A.电流触发型

  B.电压触发型

  C.电平控制型

  D.脉冲触发型

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• 8IGBT属于电压驱动型器件，它的驱动控制信号加在（）之间。

  A.阳极与阴极

  B.门极与阴极

  C.栅极与集电极

  D.栅极与发射极

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• 9随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高，电力电子器件的（）也随之增大。

  A.通态损耗

  B.断态损耗

  C.开关损耗

  D.开通损耗

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• 10下列器件中，（）与SIT速度相当。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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