试卷相关题目
- 1电力MOSFET、IGBT至控型器件的出處,使得需要高频开关的脉冲宽度调制PWM得以实现,把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。
A.正确
B.错误
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下列器件中,()是MOSFET和GTO的复合,已经获得大量应用。
A.电力二极管PD
B.晶闸管
C.IGCT
D.IGBT
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下列器件中,()的出现是电力电子技术诞生的标致。
A.晶体管
B.晶闸管
C.水银整流器
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 4采用全控型器件的电路的主要控制方式为相控方式。
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 5电力电子技术是弱电和强电之间的接口。
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 6在系统开关频率不高(如工频)的情况下,()是电力电子器件功率损耗的主要成因。
A.开通损耗
B.关断损耗
C.通态损耗
D.开关损耗
开始考试点击查看答案 - 7下列器件中,()是半控型器件。
A.电力二极管
B.晶闸管
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 8PWM控制技术在电力电子技术中的位置十分重要,它可在()变流电路中应用。
A.整流
B.逆变
C.直流斩波
D.交流交流控制
开始考试点击查看答案 - 9软开关技术在电力电子交流装置中的应用,可以()。
A.增大装置体积
B.提高效率
C.提高电力电子装置的功率密度
D.增大装置重量
开始考试点击查看答案 - 10是软开关的最基本形式。
A.ZVS
B.ZCS
C.SCR
D.SVC
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