下列电力半导体器件电路符号中，表示IgBT器件电路符号的是（）。

试卷相关题目

• 1

  双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

  A.一个

  B.两个

  C.三个

  D.四个

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• 2晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

  A.有效值

  B.最大值

  C.平均值

  D.瞬时值

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• 3

  晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

  A.越大

  B.越小

  C.不变

  D.越稳定

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• 4晶闸管内部有（）个PN结。

  A.1

  B.2

  C.3

  D.4

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• 5三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控门角α的有效移相范围是（）度。

  A.0°-90°

  B.30°-120°

  C.60°-150°

  D.90°-150°

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• 6比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 7比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 8比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.CTO

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• 9下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 10单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的。

  A.截止区

  B.负阻区

  C.饱和区

  D.任意区域

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