同一晶闸管，维持电流与擎住电流的数值大小上有， （） 。

试卷相关题目

• 1双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是: （ ）。

  A.GTO

  B.IGBT

  C.GTR

  D.MCT

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• 2晶闸管导通的条件是（ ）。

  A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲

  B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲

  C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲

  D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲

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• 3

  单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角Θ的最大变化范围是0°~ （ ）。

  A.90°

  B.120°

  C.150°

  D.180°

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• 4具有自关断能力的电力半导体器件称为（ ） 。

  A.全控型器件

  B.半控型器件

  C.不控型器件

  D.触发型器件

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• 5取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（ ） 。

  A.转折电压

  B.反向击穿电压

  C.阈值电压

  D.额定电压

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• 6

  晶闸管门极触发信号刚好可以撤掉的最小阳极电流，称为（ ）。

  A.维持电流

  B.擎住电流

  C.浪涌电流

  D.额定电流

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• 7单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ）。

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 8把交流电变成直流电的过程称为（ ）。

  A.逆变

  B.整流

  C.斩波

  D.变频

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• 9过电压分为外因过电压和内因过电压，由分闸、合闸等开关操作引起的过电压属于（ ）， 由电力电子装置内部器件的开关过程引起的过电压属于（ ）。

  A.外因过电压、外因过电压

  B.外因过电压、内因过电压

  C.内因过电压、外因过电压

  D.内因过电压、内因过电压

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• 10在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是（ ）。

  A.干扰信号

  B.触发电压信号

  C.触发电流信号

  D.干扰信号和触发信号

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