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在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B.方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+(  )

发布时间:2021-07-25

A.在内场中的加速度之比为1:1

B.在磁场中运动的半径之比为:1

C.在磁场中转过的角度之比为1:2

D.离开电场区域时的动能之比为1:3

试卷相关题目

  • 1一个电子以初速度V0从中线垂直进入偏转电场,刚好离开电场,它在离开电场后偏转角正切为0.5.下列说法中正确的是(   )

    A.如果电子的初速度变为原来的2倍,则离开电场后的偏转角正切为0.25

    B.如果电子的初速度变为原来的2倍,则离开电场后的偏转角正切为0.125

    C.如果偏转电压变为原来的1/2倍,则离开电场后的偏转角正切为0.25

    D.如果偏转电压变为原来的1/2倍,则离开电场后的偏转角正切为1

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  • 2如图所示,有一带电粒子贴着A板沿水平方向射入匀强电场,当偏转电压为U1时,带电粒子沿①轨迹从两板正中间飞出;当偏转电压为U2时,带电粒子沿②轨迹落到B板中间;设粒子两次射入电场的水平速度相同,则两次偏转电压之比为(   )

    A.U1:U2=1:8

    B.U1:U2=1:4

    C.U1:U2=1:2

    D.U1:U2=1:1

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  • 3如图所示,有三个质量相等、分别带正电、负电和不带电的粒子从两水平放置的金属板左侧中央以相同的水平初速度v0先后射入电场中,最后分别打在正极板的C.B.A处,则(  )

    A.三种粒子在电场中运动时间相同

    B.三种粒子在电场中的加速度为aA>aB>aC

    C.三种粒子到达正极板时动能EkC>EkB>EkA

    D.落在C处的粒子带正电,落在B处的粒子不带电,落在A处的粒子带负电

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  • 4图所示电路,平行板电容器的一个极板与滑动变阻器的滑动端C相连接.电子以速度v0垂直于电场线方向射入并穿过平行板间的电场.在保证电子还能穿出平行板间电场的情况下,若使滑动变阻器的滑动端C上移,则电容器极板上所带电量q和电子穿越平行板所需的时间t(  )

    A.电量q增大,时间t也增大

    B.电量q不变,时间t增大

    C.电量q增大,时间t不变

    D.电量q不变,时间t也不变

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  • 5如图所示,用导热的固定隔板把一容器隔成容积相等的甲、乙两部分,甲、乙中分别有质量相等的氮气和氧气.在达到平衡时,它们的温度必相等,若分子势能可忽略,则甲、乙中(   )

    A.气体的压强相等

    B.气体分子的平均动能相等

    C.气体的内能相等

    D.气体分子的平均速率相等

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  • 6一个带正电的点电荷以一定的初速度v0(v0≠0),沿着垂直于匀强电场的方向射入电场,则其可能的运动轨迹应该是下图中的(  )

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 7如图所示,在两块带电平行金属板间,有一束电子沿Ox轴方向射入电场,在电场中的运动轨迹为OCD.已知2OA=AB,则电子在OC段和CD段动能的增加量之比△EkC:△EkD为(  )

    A.1:9

    B.1:3

    C.1:2

    D.1:8

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